Ф3mm 300-1000nm 硅雪崩光电二极管 355nm紫外增强

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Ф3mm超大靶面，300-1000nm响应范围，355nm紫外增强，硅基雪崩光电探测器；适合用于荧光探测，超弱光探测等应用场景

产品参数

产品详情

1. 概述

Ф3mm355nm硅雪崩光电二极管是一种高性能的光电探测器件，设计用于探测紫外到可见光范围内的光信号，特别是355纳米波长的激光。

2. 应用

3. 光电性能（@Ta=22+3℃）

特性参数	符号	测试条件	最小	典型	最大	单位
光谱响应范围	λ	——	300~1000			nm
光敏面直径	φ	——	300			μm
响应度	Re	λ=355nm, φ=1μw, VR=10V	——	0.22	——	A/W
响应度	Re	λ=355nm, φ=1μw, VR=80V	——	6. 75	——	A/W
暗电流	ID	VR=0.9VBR	——	15	50	nA
总电容	Ctot	VR=0.9VBR, f=1MHz	——	50	——	pF
反向击穿电压	VBR	IR=10μA	80	——	200	V
工作电压温度系数	δ	TC=-40℃~85℃	——	0.4	——	V/℃

4. 典型特性曲线(@Ta=25℃)

5、 封装形式和管脚定义

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